SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIA910EDJ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.60 |
10+ | $0.525 |
100+ | $0.4023 |
500+ | $0.318 |
1000+ | $0.2544 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Leistung - max | 7.8W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SIA910 |
SIA910EDJ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIA910EDJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET N-CH 30V SMD
VISHAY QFN6
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
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MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIA910EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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